求人ID : D123050854

半導体エンジニア【エピ成膜技術】

  • 公開日:2023.05.18.
  • 更新日:2023.05.18.

募集要項

求人内容
■業務内容
新規エピ成膜技術の開発

■配属部署
第一研究部(計16名)
主にバルク、エピ成膜の研究を行う部署です。配属先は4名のチームで、平均年齢層は30~40代前半です。

■募集背景
研究加速のための増員

■会社概要
当社は、大手電子部品メーカー「タムラ製作所」、国立情報通信研究機構(NICT)の技術ノウハウをベースに設立された半導体ベンチャーです。高い省エネ性が特長のパワー半導体材料「酸化ガリウム」の研究開発を行っています。

新規材料でのパワー半導体開発という非常にチャレンジングな事業ですが、日々試行錯誤しながら、ひとつひとつ手探りで開発を進めています。未知の領域が大きい分だけ研究開発の余地もあり、特許や論文を書けるチャンスもあります。

■勤務地住所
狭山市広瀬台2-3-1 タムラ製作所 狭山事業所内
研究分野
  • 大分野: 総合理工
  • 小分野: 応用物理学
  • 大分野: 工学
  • 小分野: 電気電子工学
  • 大分野: 工学
  • 小分野: 材料工学
職種
  • 研究開発・技術者相当
募集組織
株式会社ノベルクリスタルテクノロジー
勤務形態
常勤(任期あり) 任期は1年を原則とするが、プロジェクトの継続が決定した場合、最長2026年3月末まで更新可
勤務地
関東 ・ 埼玉県
応募資格
【必須】
・薄膜成長技術開発の経験

【歓迎】
・HVPE、MOCVD装置開発の経験
待遇
年収:600~1000万円

【月給】
345,000~570,000円

【手当】
・食事手当 3,500円
・交通費
・社宅補助(単身赴任者)


【時間外手当】
・残業時間に応じて全額支給

【賞与】
・年2回
募集期間
2023年05月17日 ~  2023年07月31日 必着 適任者の採用が決まり次第、募集を締め切ります。
応募・選考・結果通知・連絡先
■応募方法
 JREC-IN PortalのWeb応募
 ※ご希望の業務を応募書類に明記下さい。

提出書類:履歴書、職務経歴書

■選考フロー
1.書類選考
2.適性検査/一次面接(web)
3.最終面接(来社・工場見学)
4.内定

■問い合わせ連絡先
E-mail: saiyou@novelcrystal.co.jp
電子応募
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